MKP高脉冲绕线薄膜电容器B32656S1684K5630.68uF1.6KV

来源：北京友盛兴业科技有限公司时间：2023-08-30 [举报]

B32656S1684K563

薄膜电容器 0.68uF 1.6KV 10%

制造商: TDK

产品种类: 薄膜电容器

RoHS: 详细信息

系列: B32656S

端接类型: Lug

产品: Snubber Film Capacitors

电介质: Polypropylene (PP)

电容: 0.68 uF

电压额定值 DC: 1.6 kVDC

电压额定值 AC: 750 VAC

容差: 10 %

管脚数量: 2 Pin

引线间隔: 57 mm

引线类型: Straight

工作温度: - 55 C + 110 C

长度: 42 mm

宽度: 30 mm

高度: 45 mm

ESR: 5 mOhms

资格: AEC-Q200

封装: Bulk

商标: EPCOS / TDK

电容-nF: 680 nF

电容-pF: 680000 pF

直径: -

产品类型: Film Capacitors

工厂包装数量：24

子类别: Capacitors

类型: Snubber Capacitors

单位重量: 29 g

薄膜电容的绝缘电阻

      薄膜电容器的应用范围已经越来越广了，这都得益于它无极性、绝缘抗阻高、频率特性（频率适应范围广）、介质损失小等优点，绝缘电阻呢也是薄膜电容的一种特性哦，那么到底什么是薄膜电容的绝缘电阻呢？今天我就给大家说说薄膜电容的绝缘电阻。

     薄膜电容器的绝缘电阻是指施加在电容器两端的电压与漏电流的比值，即R=U/IL。R是绝缘电阻，U是电压，IL是薄膜电容器的漏电流。可能有很多人不知道什么是薄膜电容的漏电流，薄膜电容的漏电流对薄膜电容器两端施加额定直流工作电压时，我们会看到给电容器充电的充电电流的变化开始很大，电流会随着时间而下降，到某一数值时达到比较稳定状态，而这一数值的电流大小称为漏电流。

      因此薄膜电容器的电容C=Q/U，Q为带电量，U为施加在电容两端的电压。结合上面的公式可以得出R=Q/(C*IL)，所以我们可以知道，薄膜电容器的电容越大，绝缘电阻越小，薄膜电容器的电容越小，绝缘电阻越大。

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